APM Clean
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Cleaning Technology in Semiconductor Device ...
https://www.electrochem.org
APM cleaning is very effective to remove particles from silicon wafer ... The original RCA cleaning cycle consists of 2 steps (APM and HPM cleaning).
RCA clean 製程
http://www.gptc.com.tw
常用化學品有SC-1(APM)、SC-2(HPM)、SPM、HF及BHF等，其成份與功能如下表所示。SC1及SC2最早由RCA公司所發明用於清洗製程，所以SC-1及SC-2又稱RCA-1及RCA-2。
TWI409862B
https://patents.google.com
有時候該SC1溶液也可稱為「APM溶液」，其係代表氨水－過氧化氫混合物(Ammonia hydrogen Peroxide Mixture)。該SC1溶液主要係用於移除微粒和殘留的有機污染。
Wafer Cleaning Process
https://www.modutek.com
SC1 clean process uses the APM solution (ammonia hydroxide-hydrogen peroxide water mixture) of the RCA cleaning method which removes organic matter and ...
工學院半導體材料與製程設備學程
https://ir.nctu.edu.tw
Mixtures (APM) cleaning process in Deep Trench DRAM. 研究生: 李國智 ... In this thesis, clean solution of dulite APM（UAUmmonia (NH4OH ) and.
微影光罩的不同清洗方法的效果比較
https://ir.nctu.edu.tw
RCA Standard Clean 1（SC-1：standard chemical 1，又稱APM： ammonium peroxide mixture；NH4OH+H2O2+ H2O 於65~80℃）氫氧. 化銨+過氧化氫+去離子水混合物；SC-1 為 ...
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
https://www.tsri.org.tw
SC-1(APM). 氫氧化氨/過氧 ... 目前工業界所採行之標準濕式清潔步驟稱為RCA 清潔法(RCA Clean)， 係於1960 年代 ... 標準清潔液1(standard clean 1)為NH4OH/H2O2/H2O.
濕式化學品在半導體製程中之應用
https://www.materialsnet.com.t
濕式化學品(Wet Chemicals)、濕式清洗(Wet Cleaning)、濕式蝕刻(Wet Etching)、黃光. (Photolithography)、化學氣相 ... 進行，由於氨水的沸點較低，且APM步.
第一章緒論
https://ir.nctu.edu.tw
NH4OH/H2O2/H2O 主要是應用在微. 粒子之清除。利用NH4OH 之弱鹼性來活化Si 晶片的表層,將附著於表面之微粒.
辛耘知識分享家
https://www.scientech.com.tw
SC-1 (APM)：去除有機污染物（有機物+顆粒清潔）; SC-2 (HPM)：去除離子污染（ionic clean）; DHF：去除薄氧化層（氧化層）; BOE (Buffered Oxide ...